रासायनिक अधिशोषण से एकाणुक परत बनती है।

भौतिक अधिशोषण के दौरान एन्थैल्पी में बदलाव 100 से $$140 \mathrm{~kJ} \mathrm{~mol}^{-1}$$ के परिसर (range) में होता है।

रासायनिक अधिशोषण एक ऊश्माशोषी प्रक्रम है।

तापमान में गिरावट भौतिक अधिशोषण प्रक्रम में सहायता करता है।